Антава

ONSEMI

Транзистор FDP8860

FDP8860
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
30V
Drain current
80A
Pulsed drain current
556A
Power dissipation
254W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяFDP8860
ПроизводительONSEMI
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage30V
Drain current80A
Pulsed drain current556A
Power dissipation254W
КорпусTO220AB
Gate-source voltage±20V
On-state resistance3.8mΩ
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge222nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 80A; Idm: 556A; 254W; TO220AB

Документация

Документы пока не предоставлены.