Антава

ONSEMI

Транзистор FDP80N06

FDP80N06
Type of transistor
N-MOSFET
Технология
DMOS, UniFET™
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
60 V
Drain current
65 A
Pulsed drain current
320 A
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяFDP80N06
ПроизводительONSEMI
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияDMOS, UniFET™
Polarisationunipolar
Drain-source voltage60 V
Drain current65 A
Pulsed drain current320 A
Power dissipation176 W
КорпусTO220-3
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance10 mΩ
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge74nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 65A; Idm: 320A; 176W; TO220-3

Документация

Документы пока не предоставлены.