Антава

ONSEMI

Транзистор FDP52N20

FDP52N20
Type of transistor
N-MOSFET
Technology
PowerTrench®
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
200V
Drain current
33A
Power dissipation
357W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяFDP52N20
ПроизводительONSEMI
Type of transistorN-MOSFET
TechnologyPowerTrench®
Polarisationunipolar
Drain-source voltage200V
Drain current33A
Power dissipation357W
КорпусTO220AB
Gate-source voltage±30V
On-state resistance49mΩ
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge63nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 33A; 357W; TO220AB

Документация

Документы пока не предоставлены.