Антава

ONSEMI

Транзистор FDP4D5N10C

FDP4D5N10C
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
100V
Drain current
128A
Pulsed drain current
512A
Power dissipation
150W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяFDP4D5N10C
ПроизводительONSEMI
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage100V
Drain current128A
Pulsed drain current512A
Power dissipation150W
КорпусTO220-3
Gate-source voltage±20V
On-state resistance4.5mΩ
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge48nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 128A; Idm: 512A; 150W; TO220-3

Документация

Документы пока не предоставлены.