Антава

ONSEMI

Транзистор FDP33N25

FDP33N25
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
250V
Drain current
20.4A
Pulsed drain current
132A
Power dissipation
235W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяFDP33N25
ПроизводительONSEMI
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage250V
Drain current20.4A
Pulsed drain current132A
Power dissipation235W
КорпусTO220AB
Gate-source voltage±30V
On-state resistance94mΩ
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge48nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 20.4A; Idm: 132A; 235W

Документация

Документы пока не предоставлены.