ONSEMI
Транзистор FDP2532
- Type of transistor
- N-MOSFET
- Technology
- PowerTrench®
- Polarisation
- unipolar
- Drain-source voltage
- 150 V
- Drain current
- 56 A
- Power dissipation
- 310 W
Фото справочное.
Цена и заказ
Обновить наличиеНаличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.
Характеристики
| Артикул производителя | FDP2532 |
|---|---|
| Производитель | ONSEMI |
| Type of transistor | N-MOSFET |
| Technology | PowerTrench® |
| Polarisation | unipolar |
| Drain-source voltage | 150 V |
| Drain current | 56 A |
| Power dissipation | 310 W |
| Корпус | TO220AB |
| Gate-source voltage | ±20 V |
| On-state resistance | 14 mΩ |
| Монтаж | THT — в отверстия |
| Gate charge | 107nC |
| Kind of package | tube |
| Kind of channel | enhancement |
Такого параметра нет.
Исходное описание поставщика
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 56A; 310W; TO220AB
Документация
Документ производителяКорзина
Оформить заявкуОтправьте заявку на сайте. Её номер и статус появятся в личном кабинете.