Антава

ONSEMI

Транзистор FDP22N50N

FDP22N50N
Type of transistor
N-MOSFET
Технология
UniFET™
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
500 V
Drain current
13.2 A
Рассеиваемая мощность
312.5 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и предложение

Обновить наличие
Вариант поставкиДоступно к заказу 31 шт.

Срок: 6–7 недель Данные на

Цена / шт. · с НДС 22%890,36 ₽

Сумма · с НДС 22%890,36 ₽

От 1 шт.

Без регистрации и оплаты. Менеджер подтвердит цену и срок поставки.

Оптовые цены и условия
КоличествоЦена / шт.Выбор
от 1890,36 ₽
от 10773,11 ₽
от 30600,90 ₽
от 50505,64 ₽
от 100478,16 ₽

Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.

Характеристики

Артикул производителяFDP22N50N
ПроизводительONSEMI
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияUniFET™
Polarisationunipolar
Drain-source voltage500 V
Drain current13.2 A
Рассеиваемая мощность312.5 W
КорпусTO220AB
Gate-source voltage±30 V
On-state resistance0.22 Ω
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge65nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 13.2A; 312.5W; TO220AB

Документация

Документ производителя