Антава

ONSEMI

Транзистор FDP20N50F

FDP20N50F
Type of transistor
N-MOSFET
Technology
DMOS, UniFET™
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
500V
Drain current
12.9A
Pulsed drain current
80A
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяFDP20N50F
ПроизводительONSEMI
Type of transistorN-MOSFET
TechnologyDMOS, UniFET™
Polarisationunipolar
Drain-source voltage500V
Drain current12.9A
Pulsed drain current80A
Power dissipation250W
КорпусTO220-3
Gate-source voltage±30V
On-state resistance0.26Ω
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge65nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 12.9A; Idm: 80A; 250W; TO220-3

Документация

Документы пока не предоставлены.