Антава

ONSEMI

Транзистор FDP18N50

FDP18N50
Type of transistor
N-MOSFET
Технология
UniFET™
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
500 V
Drain current
10.8 A
Рассеиваемая мощность
235 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и предложение

Обновить наличие
Вариант поставкиДоступно к заказу 805 шт.

Срок: 6–7 недель Данные на

Цена / шт. · с НДС 22%499,52 ₽

Сумма · с НДС 22%499,52 ₽

От 1 шт.

Без регистрации и оплаты. Менеджер подтвердит цену и срок поставки.

Оптовые цены и условия
КоличествоЦена / шт.Выбор
от 1499,52 ₽
от 3470,67 ₽
от 10411,16 ₽
от 50369,68 ₽

Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.

Характеристики

Артикул производителяFDP18N50
ПроизводительONSEMI
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияUniFET™
Polarisationunipolar
Drain-source voltage500 V
Drain current10.8 A
Рассеиваемая мощность235 W
КорпусTO220AB
Gate-source voltage±30 V
On-state resistance265 mΩ
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge60nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 10.8A; 235W; TO220AB

Документация

Документ производителя