Антава

ONSEMI

Транзистор FDP150N10A-F102

FDP150N10A-F102
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
100 V
Drain current
50 A
Pulsed drain current
200 A
Рассеиваемая мощность
91 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и предложение

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяFDP150N10A-F102
ПроизводительONSEMI
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage100 V
Drain current50 A
Pulsed drain current200 A
Рассеиваемая мощность91 W
КорпусTO220-3
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance15 mΩ
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge16.2nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 50A; Idm: 200A; 91W; TO220-3

Документация

Документы пока не предоставлены.