Антава

ONSEMI

Транзистор FDP120N10

FDP120N10
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
100V
Drain current
74A
Pulsed drain current
296A
Power dissipation
170W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяFDP120N10
ПроизводительONSEMI
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage100V
Drain current74A
Pulsed drain current296A
Power dissipation170W
КорпусTO220-3
Gate-source voltage±20V
On-state resistance12mΩ
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge66nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 74A; Idm: 296A; 170W; TO220-3

Документация

Документы пока не предоставлены.