Антава

ONSEMI

Транзистор FDP060AN08A0

FDP060AN08A0
Channel Type
N Channel
Rds(on) Test Voltage
10 V
Drain Source On State Resistance
4800 Ω
Continuous Drain Current Id
80 A
Рабочая температура, макс.
175 °C
Transistor Mounting
Through Hole
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие
Вариант поставкиДоступно к заказу 41 шт.

Цена и наличие обновляются Данные на

Последняя цена / шт. · с НДС 22%658,75 ₽

Сумма · с НДС 22%658,75 ₽

Проверяем актуальные условия

Оптовые цены и условия
КоличествоЦена / шт.Выбор
от 1658,75 ₽
от 10442,98 ₽
от 50381,88 ₽
от 100370,43 ₽

Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.

Характеристики

Артикул производителяFDP060AN08A0
ПроизводительONSEMI
Channel TypeN Channel
Соответствие RoHSY-EX
RoHS: фталатыДа
Rds(on) Test Voltage10 V
Drain Source On State Resistance4800 Ω
Continuous Drain Current Id80 A
Рабочая температура, макс.175 °C
Transistor MountingThrough Hole
Рассеиваемая мощность255 W
Gate Source Threshold Voltage Max4 V
Вещества SVHCLead (04-Feb-2026)
Drain Source Voltage Vds75 V
Transistor Case StyleTO-220
Количество выводов3
Исходное описание поставщика

ONSEMI - FDP060AN08A0 - Power MOSFET, Automotive, N Channel, 75 V, 80 A, 4800 µohm, TO-220, Through Hole

Документация

Документы пока не предоставлены.