Антава

ONSEMI

Транзистор FDP053N08B-F102

FDP053N08B-F102
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
80 V
Drain current
120 A
Pulsed drain current
480 A
Рассеиваемая мощность
146 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и предложение

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяFDP053N08B-F102
ПроизводительONSEMI
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage80 V
Drain current120 A
Pulsed drain current480 A
Рассеиваемая мощность146 W
КорпусTO220-3
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance5.3 mΩ
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge65.4nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 120A; Idm: 480A; 146W; TO220-3

Документация

Документы пока не предоставлены.