Антава

ONSEMI

Транзистор FDP027N08B-F102

FDP027N08B-F102
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
80 V
Drain current
223 A
Pulsed drain current
892 A
Рассеиваемая мощность
246 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и предложение

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяFDP027N08B-F102
ПроизводительONSEMI
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage80 V
Drain current223 A
Pulsed drain current892 A
Рассеиваемая мощность246 W
КорпусTO220-3
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance2.7 mΩ
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge137nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 223A; Idm: 892A; 246W; TO220-3

Документация

Документы пока не предоставлены.