Антава

ONSEMI

Транзистор FDP020N06B-F102

FDP020N06B-F102
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
60 V
Drain current
313 A
Pulsed drain current
1252 A
Рассеиваемая мощность
333 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и предложение

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяFDP020N06B-F102
ПроизводительONSEMI
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage60 V
Drain current313 A
Pulsed drain current1252 A
Рассеиваемая мощность333 W
КорпусTO220-3
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance2 mΩ
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge206nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 313A; Idm: 1252A; 333W; TO220-3

Документация

Документы пока не предоставлены.