ONSEMI

Транзистор FDN86265P

SuperSOT-3Изображение корпуса

Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -150 V
Drain current: -0.8 A
Power dissipation: 1.5 W
Корпус: SuperSOT-3

Цены и наличие Все характеристики

Добавим фотографию после подтверждения источника.

Цена и заказ

Обновить наличие

Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену +7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителя	FDN86265P
Производитель	ONSEMI
Type of transistor	P-MOSFET
Polarisation	unipolar
Drain-source voltage	-150 V
Drain current	-0.8 A
Power dissipation	1.5 W
Корпус	SuperSOT-3
Gate-source voltage	±25 V
On-state resistance	2.2 Ω
Монтаж	SMD — поверхностный
Kind of package	reel, tape
Kind of channel	enhancement

Исходное описание поставщика

Transistor: P-MOSFET; unipolar; -150V; -0.8A; 1.5W; SuperSOT-3

Документация

Документы пока не предоставлены.