Антава

ONSEMI

Транзистор FDN8601

Фото уточняется
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
100V
Drain current
2.7A
Power dissipation
1.5W
Корпус
SuperSOT-3
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяFDN8601
ПроизводительONSEMI
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage100V
Drain current2.7A
Power dissipation1.5W
КорпусSuperSOT-3
Gate-source voltage±20V
On-state resistance183mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 2.7A; 1.5W; SuperSOT-3

Документация

Документы пока не предоставлены.