Антава

ONSEMI

Транзистор FDN5632N-F085

FDN5632N-F085
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
60 V
Drain current
1.7 A
Рассеиваемая мощность
1.1 W
Корпус
SuperSOT-3
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и предложение

Обновить наличие
Вариант поставкиДоступно к заказу 38 шт.

Цена и наличие обновляются Данные на

Последняя цена / шт. · с НДС 22%200,50 ₽

Сумма · с НДС 22%200,50 ₽

Проверяем актуальные условия

Без регистрации и оплаты. Менеджер подтвердит цену и срок поставки.

Оптовые цены и условия
КоличествоЦена / шт.Выбор
от 1200,50 ₽
от 1094,24 ₽
от 5080,20 ₽
от 10074,55 ₽
от 50061,24 ₽
от 100056,87 ₽
от 300056,32 ₽

Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.

Характеристики

Артикул производителяFDN5632N-F085
ПроизводительONSEMI
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage60 V
Drain current1.7 A
Рассеиваемая мощность1.1 W
КорпусSuperSOT-3
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance135 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Applicationautomotive industry
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 1.7A; 1.1W; SuperSOT-3

Документация

Документы пока не предоставлены.