Антава

ONSEMI

Транзистор FDN5630

FDN5630
Type of transistor
N-MOSFET
Technology
PowerTrench®
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
60V
Drain current
1.7A
Power dissipation
0.5W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяFDN5630
ПроизводительONSEMI
Type of transistorN-MOSFET
TechnologyPowerTrench®
Polarisationunipolar
Drain-source voltage60V
Drain current1.7A
Power dissipation0.5W
КорпусSuperSOT-3
Gate-source voltage±20V
On-state resistance0.18Ω
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge10nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Features of semiconductor deviceslogic level
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 1.7A; 0.5W; SuperSOT-3

Документация

Документ производителя