Антава

ONSEMI

Транзистор FDN5618P

FDN5618P
Type of transistor
P-MOSFET
Technology
PowerTrench®
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
-60V
Drain current
-1.25A
Power dissipation
0.46W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяFDN5618P
ПроизводительONSEMI
Type of transistorP-MOSFET
TechnologyPowerTrench®
Polarisationunipolar
Drain-source voltage-60V
Drain current-1.25A
Power dissipation0.46W
КорпусSuperSOT-3
Gate-source voltage±20V
On-state resistance0.23Ω
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge13.8nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Features of semiconductor deviceslogic level
Исходное описание поставщика

Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -1.25A; 0.46W; SuperSOT-3

Документация

Документ производителя