Антава

ONSEMI

Транзистор FDN359AN

FDN359AN
Type of transistor
N-MOSFET
Технология
PowerTrench®
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
30 V
Drain current
2.7 A
Рассеиваемая мощность
0.5 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и предложение

Обновить наличие
Вариант поставкиДоступно к заказу 5 839 шт.

Цена и наличие обновляются Данные на

Последняя цена / шт. · с НДС 22%148,16 ₽

Сумма · с НДС 22%148,16 ₽

Проверяем актуальные условия

Без регистрации и оплаты. Менеджер подтвердит цену и срок поставки.

Оптовые цены и условия
КоличествоЦена / шт.Выбор
от 1148,16 ₽
от 1079,89 ₽
от 5064,51 ₽
от 10058,51 ₽
от 25050,82 ₽
от 50045,38 ₽
от 100040,13 ₽
от 300037,51 ₽

Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.

Характеристики

Артикул производителяFDN359AN
ПроизводительONSEMI
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияPowerTrench®
Polarisationunipolar
Drain-source voltage30 V
Drain current2.7 A
Рассеиваемая мощность0.5 W
КорпусSuperSOT-3
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance75 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge7nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Features of semiconductor deviceslogic level
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 2.7A; 0.5W; SuperSOT-3

Документация

Документ производителя