Антава

ONSEMI

Транзистор FDN358P

FDN358P
Type of transistor
P-MOSFET
Технология
PowerTrench®
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
-30 V
Drain current
-1.5 A
Рассеиваемая мощность
0.5 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и предложение

Обновить наличие
Вариант поставкиДоступно к заказу 1 814 шт.

Срок: 6–7 недель Данные на

Цена / шт. · с НДС 22%145,50 ₽

Сумма · с НДС 22%145,50 ₽

От 1 шт.

Без регистрации и оплаты. Менеджер подтвердит цену и срок поставки.

Оптовые цены и условия
КоличествоЦена / шт.Выбор
от 1145,50 ₽
от 566,82 ₽
от 1062,33 ₽
от 5052,81 ₽
от 10048,86 ₽
от 50039,70 ₽
от 100036,29 ₽
от 150035,39 ₽

Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.

Характеристики

Артикул производителяFDN358P
ПроизводительONSEMI
Type of transistorP-MOSFET
ТехнологияPowerTrench®
Polarisationunipolar
Drain-source voltage-30 V
Drain current-1.5 A
Рассеиваемая мощность0.5 W
КорпусSuperSOT-3
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance0.2 Ω
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge5.6nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Features of semiconductor deviceslogic level
Исходное описание поставщика

Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -1.5A; 0.5W; SuperSOT-3

Документация

Документ производителяДокумент производителя