Антава

ONSEMI

Транзистор FDN357N

FDN357N
Type of transistor
N-MOSFET
Технология
PowerTrench®
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
30 V
Drain current
1.9 A
Рассеиваемая мощность
0.5 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и предложение

Обновить наличие
Вариант поставкиДоступно к заказу 2 846 шт.

Срок: 6–7 недель Данные на

Цена / шт. · с НДС 22%150,23 ₽

Сумма · с НДС 22%150,23 ₽

От 1 шт.

Без регистрации и оплаты. Менеджер подтвердит цену и срок поставки.

Оптовые цены и условия
КоличествоЦена / шт.Выбор
от 1150,23 ₽
от 5102,96 ₽
от 1089,77 ₽
от 5067,24 ₽
от 10059,91 ₽
от 50046,53 ₽
от 100042,14 ₽
от 150039,94 ₽
от 300038,66 ₽

Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.

Характеристики

Артикул производителяFDN357N
ПроизводительONSEMI
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияPowerTrench®
Polarisationunipolar
Drain-source voltage30 V
Drain current1.9 A
Рассеиваемая мощность0.5 W
КорпусSuperSOT-3
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance0.14 Ω
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge5.9nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Features of semiconductor deviceslogic level
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 1.9A; 0.5W; SuperSOT-3

Документация

Документ производителяДокумент производителя