Антава

ONSEMI

Транзистор FDN352AP

FDN352AP
Type of transistor
P-MOSFET
Technology
PowerTrench®
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
-30 V
Drain current
-1.3 A
Power dissipation
0.5 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяFDN352AP
ПроизводительONSEMI
Type of transistorP-MOSFET
TechnologyPowerTrench®
Polarisationunipolar
Drain-source voltage-30 V
Drain current-1.3 A
Power dissipation0.5 W
КорпусSuperSOT-3
Gate-source voltage±25 V
On-state resistance0.4 Ω
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge1.9nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Features of semiconductor deviceslogic level
Исходное описание поставщика

Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -1.3A; 0.5W; SuperSOT-3

Документация

Документ производителя