ONSEMI
Транзистор FDN340P
- Type of transistor
- P-MOSFET
- Технология
- PowerTrench®
- Polarisation
- unipolar
- Drain-source voltage
- -20 V
- Drain current
- -2 A
- Pulsed drain current
- -10 A
Фото справочное.
Цена и предложение
Обновить наличиеВариант поставкиДоступно к заказу 943 шт.
Срок: 6–7 недель Данные на
Цена / шт. · с НДС 22%89,32 ₽
Сумма · с НДС 22%89,32 ₽
Без регистрации и оплаты. Менеджер подтвердит цену и срок поставки.
Оптовые цены и условия
| Количество | Цена / шт. | Выбор |
|---|---|---|
| от 1 | 89,32 ₽ | |
| от 25 | 77,22 ₽ | |
| от 50 | 67,36 ₽ | |
| от 75 | 59,92 ₽ | |
| от 100 | 53,96 ₽ | |
| от 250 | 36,47 ₽ | |
| от 500 | 27,54 ₽ | |
| от 1000 | 23,26 ₽ | |
| от 1500 | 22,14 ₽ | |
| от 3000 | 21,21 ₽ |
Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.
Характеристики
| Артикул производителя | FDN340P |
|---|---|
| Производитель | ONSEMI |
| Type of transistor | P-MOSFET |
| Технология | PowerTrench® |
| Polarisation | unipolar |
| Drain-source voltage | -20 V |
| Drain current | -2 A |
| Pulsed drain current | -10 A |
| Рассеиваемая мощность | 0.5 W |
| Корпус | SuperSOT-3 |
| Gate-source voltage | ±8 V |
| On-state resistance | 0.11 Ω |
| Монтаж | SMD — поверхностный |
| Gate charge | 10nC |
| Kind of package | reel, tape |
| Kind of channel | enhancement |
Такого параметра нет.
Исходное описание поставщика
Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -2A; Idm: -10A; 0.5W
Документация
Документ производителяКорзина
Оформить заявкуОтправьте заявку на сайте. Её номер и статус появятся в личном кабинете.