Антава

ONSEMI

Транзистор FDN339AN

FDN339AN
Type of transistor
N-MOSFET
Технология
PowerTrench®
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
20 V
Drain current
3 A
Рассеиваемая мощность
0.5 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и предложение

Обновить наличие
Вариант поставкиДоступно к заказу 2 668 шт.

Срок: 6–7 недель Данные на

Цена / шт. · с НДС 22%146,56 ₽

Сумма · с НДС 22%146,56 ₽

От 1 шт.

Без регистрации и оплаты. Менеджер подтвердит цену и срок поставки.

Оптовые цены и условия
КоличествоЦена / шт.Выбор
от 1146,56 ₽
от 5108,09 ₽
от 1093,80 ₽
от 5067,42 ₽
от 10058,44 ₽
от 50043,05 ₽
от 100041,40 ₽

Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.

Характеристики

Артикул производителяFDN339AN
ПроизводительONSEMI
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияPowerTrench®
Polarisationunipolar
Drain-source voltage20 V
Drain current3 A
Рассеиваемая мощность0.5 W
КорпусSuperSOT-3
Gate-source voltage±8 V
On-state resistance61 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge10nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Features of semiconductor deviceslogic level
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 3A; 0.5W; SuperSOT-3

Документация

Документ производителяДокумент производителя