Антава

ONSEMI

Транзистор FDN337N

FDN337N
Type of transistor
N-MOSFET
Technology
PowerTrench®
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
30V
Drain current
2.2A
Power dissipation
0.5W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяFDN337N
ПроизводительONSEMI
Type of transistorN-MOSFET
TechnologyPowerTrench®
Polarisationunipolar
Drain-source voltage30V
Drain current2.2A
Power dissipation0.5W
КорпусSuperSOT-3
Gate-source voltage±8V
On-state resistance80mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge9nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Features of semiconductor deviceslogic level
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 2.2A; 0.5W; SuperSOT-3

Документация

Документ производителя