Антава

ONSEMI

Транзистор FDN336P

FDN336P
Type of transistor
P-MOSFET
Технология
PowerTrench®
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
-20 V
Drain current
-1.3 A
Power dissipation
0.5 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие
Вариант поставкиДоступно к заказу 2 660 шт.

Цена и наличие обновляются Данные на

Последняя цена / шт. · с НДС 22%150,06 ₽

Сумма · с НДС 22%150,06 ₽

Проверяем актуальные условия

Оптовые цены и условия
КоличествоЦена / шт.Выбор
от 1150,06 ₽
от 5111,69 ₽
от 1095,16 ₽
от 5065,91 ₽
от 10057,17 ₽
от 50043,50 ₽
от 150037,61 ₽
от 300036,09 ₽
от 600034,95 ₽

Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.

Характеристики

Артикул производителяFDN336P
ПроизводительONSEMI
Type of transistorP-MOSFET
ТехнологияPowerTrench®
Polarisationunipolar
Drain-source voltage-20 V
Drain current-1.3 A
Power dissipation0.5 W
КорпусSuperSOT-3
Gate-source voltage±8 V
On-state resistance0.32 Ω
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge5nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Features of semiconductor deviceslogic level
Исходное описание поставщика

Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -1.3A; 0.5W; SuperSOT-3

Документация

Документ производителя