Антава

ONSEMI

Транзистор FDN335N

FDN335N
Type of transistor
N-MOSFET
Технология
PowerTrench®
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
20 V
Drain current
1.7 A
Power dissipation
0.5 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяFDN335N
ПроизводительONSEMI
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияPowerTrench®
Polarisationunipolar
Drain-source voltage20 V
Drain current1.7 A
Power dissipation0.5 W
КорпусSuperSOT-3
Gate-source voltage±8 V
On-state resistance0.12 Ω
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge5nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Features of semiconductor deviceslogic level
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 1.7A; 500mW; SuperSOT-3

Документация

Документ производителя