Антава

ONSEMI

Транзистор FDN327N

FDN327N
Type of transistor
N-MOSFET
Технология
PowerTrench®
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
20 V
Drain current
2 A
Power dissipation
0.5 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие
Вариант поставкиДоступно к заказу 1 496 шт.

Цена и наличие обновляются Данные на

Последняя цена / шт. · с НДС 22%121,57 ₽

Сумма · с НДС 22%121,57 ₽

Проверяем актуальные условия

Оптовые цены и условия
КоличествоЦена / шт.Выбор
от 1121,57 ₽
от 581,68 ₽
от 1071,99 ₽
от 5053,95 ₽
от 10047,68 ₽
от 50035,14 ₽
от 100030,39 ₽
от 150027,73 ₽
от 300026,02 ₽

Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.

Характеристики

Артикул производителяFDN327N
ПроизводительONSEMI
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияPowerTrench®
Polarisationunipolar
Drain-source voltage20 V
Drain current2 A
Power dissipation0.5 W
КорпусSuperSOT-3
Gate-source voltage±8 V
On-state resistance0.12 Ω
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge6.3nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Features of semiconductor deviceslogic level
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 2A; 0.5W; SuperSOT-3

Документация

Документ производителя