Антава

ONSEMI

Транзистор FDN308P

FDN308P
Type of transistor
P-MOSFET
Технология
PowerTrench®
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
-20 V
Drain current
-1.5 A
Рассеиваемая мощность
0.5 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и предложение

Обновить наличие
Вариант поставкиДоступно к заказу 3 000 шт.

Срок: 6–7 недель Данные на

Цена / шт. · с НДС 22%84,79 ₽

Сумма · с НДС 22%84,79 ₽

От 1 шт.

Без регистрации и оплаты. Менеджер подтвердит цену и срок поставки.

Оптовые цены и условия
КоличествоЦена / шт.Выбор
от 184,79 ₽
от 1058,61 ₽
от 5046,82 ₽
от 10044,24 ₽
от 50040,55 ₽
от 100036,49 ₽
от 300031,15 ₽
от 600028,57 ₽
от 900026,91 ₽
от 2400024,33 ₽

Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.

Характеристики

Артикул производителяFDN308P
ПроизводительONSEMI
Type of transistorP-MOSFET
ТехнологияPowerTrench®
Polarisationunipolar
Drain-source voltage-20 V
Drain current-1.5 A
Рассеиваемая мощность0.5 W
КорпусSuperSOT-3
Gate-source voltage±12 V
On-state resistance0.19 Ω
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge5.4nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Features of semiconductor deviceslogic level
Исходное описание поставщика

Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -1.5A; 0.5W; SuperSOT-3

Документация

Документ производителяДокумент производителя