Антава

ONSEMI

Транзистор FDN306P

FDN306P
Type of transistor
P-MOSFET
Technology
PowerTrench®
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
-12V
Drain current
-2.6A
Power dissipation
0.5W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяFDN306P
ПроизводительONSEMI
Type of transistorP-MOSFET
TechnologyPowerTrench®
Polarisationunipolar
Drain-source voltage-12V
Drain current-2.6A
Power dissipation0.5W
КорпусSuperSOT-3
Gate-source voltage±8V
On-state resistance80mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge17nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Features of semiconductor deviceslogic level
Исходное описание поставщика

Transistor: P-MOSFET; unipolar; -12V; -2.6A; 0.5W; SuperSOT-3

Документация

Документ производителя