Антава

ONSEMI

Транзистор FDN304PZ

FDN304PZ
Type of transistor
P-MOSFET
Технология
PowerTrench®
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
-20 V
Drain current
-2.4 A
Power dissipation
0.5 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяFDN304PZ
ПроизводительONSEMI
Type of transistorP-MOSFET
ТехнологияPowerTrench®
Polarisationunipolar
Drain-source voltage-20 V
Drain current-2.4 A
Power dissipation0.5 W
КорпусSuperSOT-3
Gate-source voltage±8 V
On-state resistance0.1 Ω
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge20nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Features of semiconductor deviceslogic level
Исходное описание поставщика

Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -2.4A; 0.5W; SuperSOT-3

Документация

Документ производителя