Антава

ONSEMI

Транзистор FDN028N20

FDN028N20
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
20 V
Drain current
6.1 A
Pulsed drain current
52 A
Power dissipation
1.5 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие
Вариант поставкиДоступно к заказу 2 975 шт.

Срок: 6–7 недель Данные на

Цена / шт. · с НДС 22%161,46 ₽

Сумма · с НДС 22%161,46 ₽

От 1 шт.

Оптовые цены и условия
КоличествоЦена / шт.Выбор
от 1161,46 ₽
от 10103,52 ₽
от 5073,13 ₽
от 10063,25 ₽
от 50046,35 ₽
от 100042,36 ₽
от 300040,46 ₽

Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.

Характеристики

Артикул производителяFDN028N20
ПроизводительONSEMI
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage20 V
Drain current6.1 A
Pulsed drain current52 A
Power dissipation1.5 W
КорпусSOT23
Gate-source voltage±12 V
On-state resistance28 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge4.3nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 6.1A; Idm: 52A; 1.5W; SOT23

Документация

Документы пока не предоставлены.