Антава

ONSEMI

Транзистор FDMT80080DC

Фото уточняется
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
80V
Drain current
160A
Pulsed drain current
1453A
Power dissipation
156W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяFDMT80080DC
ПроизводительONSEMI
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage80V
Drain current160A
Pulsed drain current1453A
Power dissipation156W
КорпусDFNW8
Gate-source voltage±20V
On-state resistance2.22mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge273nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 160A; Idm: 1453A; 156W; DFNW8

Документация

Документы пока не предоставлены.