Антава

ONSEMI

Транзистор FDMS86150ET100

Фото уточняется
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
100 V
Drain current
90 A
Pulsed drain current
617 A
Power dissipation
187 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяFDMS86150ET100
ПроизводительONSEMI
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage100 V
Drain current90 A
Pulsed drain current617 A
Power dissipation187 W
КорпусPower56
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance9.1 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge62nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 90A; Idm: 617A; 187W; Power56

Документация

Документы пока не предоставлены.