Антава

ONSEMI

Транзистор FDMS8050

Фото уточняется
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
30V
Drain current
200A
Pulsed drain current
400A
Power dissipation
156W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяFDMS8050
ПроизводительONSEMI
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage30V
Drain current200A
Pulsed drain current400A
Power dissipation156W
КорпусPower56
Gate-source voltage±20V
On-state resistance0.9mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge285nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 200A; Idm: 400A; 156W; Power56

Документация

Документы пока не предоставлены.