ONSEMI

Транзистор FDMS6673BZ

Фото уточняется

Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -52A
Pulsed drain current: -422A
Power dissipation: 73W

Цены и наличие Все характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителя	FDMS6673BZ
Производитель	ONSEMI
Type of transistor	P-MOSFET
Polarisation	unipolar
Drain-source voltage	-30V
Drain current	-52A
Pulsed drain current	-422A
Power dissipation	73W
Корпус	Power56
Gate-source voltage	±25V
On-state resistance	12.5mΩ
Монтаж	SMD — поверхностный
Gate charge	130nC
Kind of package	reel, tape
Kind of channel	enhancement

Исходное описание поставщика

Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -52A; Idm: -422A; 73W; Power56

Документация

Документы пока не предоставлены.