ONSEMI

Транзистор FDMS4D4N08C

Power56Изображение корпуса

Type of transistor: N-MOSFET
Технология: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80 V
Drain current: 78 A
Pulsed drain current: 498 A

Цены и наличие Все характеристики

Добавим фотографию после подтверждения источника.

Цена и заказ

Обновить наличие

Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену +7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителя	FDMS4D4N08C
Производитель	ONSEMI
Type of transistor	N-MOSFET
Технология	PowerTrench®
Polarisation	unipolar
Drain-source voltage	80 V
Drain current	78 A
Pulsed drain current	498 A
Power dissipation	125 W
Корпус	Power56
Gate-source voltage	±20 V
On-state resistance	7.2 mΩ
Монтаж	SMD — поверхностный
Gate charge	56nC
Kind of package	reel, tape
Kind of channel	enhancement

Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 78A; Idm: 498A; 125W; Power56

Документация

Документы пока не предоставлены.