Антава

ONSEMI

Транзистор FDMS4435BZ

FDMS4435BZ
Type of transistor
P-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
-30 V
Drain current
-18 A
Pulsed drain current
-50 A
Рассеиваемая мощность
39 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и предложение

Обновить наличие
Вариант поставкиДоступно к заказу 2 324 шт.

Срок: 6–7 недель Данные на

Цена / шт. · с НДС 22%229,53 ₽

Сумма · с НДС 22%229,53 ₽

От 1 шт.

Без регистрации и оплаты. Менеджер подтвердит цену и срок поставки.

Оптовые цены и условия
КоличествоЦена / шт.Выбор
от 1229,53 ₽
от 10143,46 ₽
от 50132,70 ₽

Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.

Характеристики

Артикул производителяFDMS4435BZ
ПроизводительONSEMI
Type of transistorP-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage-30 V
Drain current-18 A
Pulsed drain current-50 A
Рассеиваемая мощность39 W
КорпусPower56
Gate-source voltage±25 V
On-state resistance37 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge47nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -18A; Idm: -50A; 39W; Power56

Документация

Документ производителя