ONSEMI

Транзистор FDMS3669S

Фото уточняется

Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30/30 V
Drain current: 24/60 A
Power dissipation: 2.2/2.5 W
Корпус: Power56

Цены и наличие Все характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителя	FDMS3669S
Производитель	ONSEMI
Type of transistor	N-MOSFET x2
Polarisation	unipolar
Drain-source voltage	30/30 V
Drain current	24/60 A
Power dissipation	2.2/2.5 W
Корпус	Power56
Gate-source voltage	±20/±12 V
On-state resistance	14.5/7.1 mΩ
Монтаж	SMD — поверхностный
Gate charge	24/34nC
Kind of package	reel, tape
Kind of channel	enhancement

Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30/30V; 24/60A; 2.2/2.5W

Документация

Документы пока не предоставлены.