Антава

ONSEMI

Транзистор FDMS3660S

FDMS3660S
Type of transistor
N-MOSFET x2
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
30/30 V
Drain current
30/60 A
Рассеиваемая мощность
2.2/2.5 W
Корпус
PQFN8
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и предложение

Обновить наличие
Вариант поставкиДоступно к заказу 2 573 шт.

Срок: 6–7 недель Данные на

Цена / шт. · с НДС 22%543,17 ₽

Сумма · с НДС 22%543,17 ₽

От 1 шт.

Без регистрации и оплаты. Менеджер подтвердит цену и срок поставки.

Оптовые цены и условия
КоличествоЦена / шт.Выбор
от 1543,17 ₽
от 10291,64 ₽
от 25269,76 ₽
от 50251,54 ₽
от 100235,13 ₽
от 500220,55 ₽

Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.

Характеристики

Артикул производителяFDMS3660S
ПроизводительONSEMI
Type of transistorN-MOSFET x2
Polarisationunipolar
Drain-source voltage30/30 V
Drain current30/60 A
Рассеиваемая мощность2.2/2.5 W
КорпусPQFN8
Gate-source voltage±20/±12 V
On-state resistance11/2.6 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge29/87nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30/30V; 30/60A; 2.2/2.5W; PQFN8

Документация

Документы пока не предоставлены.