ONSEMI

Транзистор FDMS3604S

Фото уточняется

Type of transistor: N-MOSFET x2
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30/30V
Drain current: 30/40A
Pulsed drain current: 40...100A

Цены и наличие Все характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителя	FDMS3604S
Производитель	ONSEMI
Type of transistor	N-MOSFET x2
Technology	PowerTrench®
Polarisation	unipolar
Drain-source voltage	30/30V
Drain current	30/40A
Pulsed drain current	40...100A
Power dissipation	2.2/2.5W
Корпус	PQFN8
Gate-source voltage	±20/±20V
On-state resistance	10.8/4mΩ
Монтаж	SMD — поверхностный
Gate charge	29/66nC
Kind of package	reel, tape
Kind of channel	enhancement
Semiconductor structure	asymmetric

Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30/30V; 30/40A; Idm: 40÷100A

Документация

Документы пока не предоставлены.