Антава

ONSEMI

Транзистор FDMS1D2N03DSD

Фото уточняется
Type of transistor
N-MOSFET x2
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
30/30 V
Drain current
54/126 A
Power dissipation
26/42 W
Корпус
PQFN8
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяFDMS1D2N03DSD
ПроизводительONSEMI
Type of transistorN-MOSFET x2
Polarisationunipolar
Drain-source voltage30/30 V
Drain current54/126 A
Power dissipation26/42 W
КорпусPQFN8
Gate-source voltage±20/±20 V
On-state resistance4.9/1.6 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge33/117nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30/30V; 54/126A; 26/42W; PQFN8

Документация

Документы пока не предоставлены.