ONSEMI

Транзистор FDMS10C4D2N

Фото уточняется

Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 48A
Pulsed drain current: 510A

Цены и наличие Все характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителя	FDMS10C4D2N
Производитель	ONSEMI
Type of transistor	N-MOSFET
Technology	PowerTrench®
Polarisation	unipolar
Drain-source voltage	100V
Drain current	48A
Pulsed drain current	510A
Power dissipation	125W
Корпус	Power56
Gate-source voltage	±20V
On-state resistance	9mΩ
Монтаж	SMD — поверхностный
Gate charge	65nC
Kind of package	reel, tape
Kind of channel	enhancement

Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 48A; Idm: 510A; 125W; Power56

Документация

Документы пока не предоставлены.