ONSEMI

Транзистор FDME905PT

Фото уточняется

Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -12V
Drain current: -8A
Pulsed drain current: -30A
Power dissipation: 2.1W

Цены и наличие Все характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителя	FDME905PT
Производитель	ONSEMI
Type of transistor	P-MOSFET
Polarisation	unipolar
Drain-source voltage	-12V
Drain current	-8A
Pulsed drain current	-30A
Power dissipation	2.1W
Корпус	MicroFET
Gate-source voltage	±8V
On-state resistance	97mΩ
Монтаж	SMD — поверхностный
Gate charge	20nC
Kind of package	reel, tape
Kind of channel	enhancement

Исходное описание поставщика

Transistor: P-MOSFET; unipolar; -12V; -8A; Idm: -30A; 2.1W; MicroFET

Документация

Документы пока не предоставлены.