Антава

ONSEMI

Транзистор FDME820NZT

Фото уточняется
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
20 V
Drain current
9 A
Pulsed drain current
40 A
Power dissipation
2.1 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяFDME820NZT
ПроизводительONSEMI
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage20 V
Drain current9 A
Pulsed drain current40 A
Power dissipation2.1 W
КорпусMicroFET
Gate-source voltage±12 V
On-state resistance24 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge8.5nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 9A; Idm: 40A; 2.1W; MicroFET

Документация

Документы пока не предоставлены.