ONSEMI

Транзистор FDME1034CZT

uDFN6Изображение корпуса

Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20/-20 V
Drain current: 3.8/-2.6 A
Рассеиваемая мощность: 1.4 W
Корпус: uDFN6

Цены и наличие Все характеристики

Добавим фотографию после подтверждения источника.

Цена и предложение

Обновить наличие

Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену +7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителя	FDME1034CZT
Производитель	ONSEMI
Type of transistor	N/P-MOSFET
Polarisation	unipolar
Drain-source voltage	20/-20 V
Drain current	3.8/-2.6 A
Рассеиваемая мощность	1.4 W
Корпус	uDFN6
Gate-source voltage	±8 V
On-state resistance	530/160 mΩ
Монтаж	SMD — поверхностный
Gate charge	7.7/4.2nC
Kind of package	reel, tape
Kind of channel	enhancement

Исходное описание поставщика

Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 20/-20V; 3.8/-2.6A; 1.4W; uDFN6

Документация

Документы пока не предоставлены.