Антава

ONSEMI

Транзистор FDMD8280

Фото уточняется
Type of transistor
N-MOSFET x2
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
80V
Drain current
40A
Pulsed drain current
160A
Power dissipation
38W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяFDMD8280
ПроизводительONSEMI
Type of transistorN-MOSFET x2
Polarisationunipolar
Drain-source voltage80V
Drain current40A
Pulsed drain current160A
Power dissipation38W
КорпусPQFN8
Gate-source voltage±20V
On-state resistance12.4mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge44nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 80V; 40A; Idm: 160A; 38W; PQFN8

Документация

Документы пока не предоставлены.