ONSEMI

Транзистор FDMD8260LET60

Фото уточняется

Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60 V
Drain current: 47 A
Pulsed drain current: 304 A
Power dissipation: 44 W

Цены и наличие Все характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителя	FDMD8260LET60
Производитель	ONSEMI
Type of transistor	N-MOSFET x2
Polarisation	unipolar
Drain-source voltage	60 V
Drain current	47 A
Pulsed drain current	304 A
Power dissipation	44 W
Корпус	PQFN12
Gate-source voltage	±20 V
On-state resistance	8.7 mΩ
Монтаж	SMD — поверхностный
Gate charge	68nC
Kind of package	reel, tape
Kind of channel	enhancement

Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 47A; Idm: 304A; 44W; PQFN12

Документация

Документы пока не предоставлены.